samnos transistor

An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).

用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。

samnos transistor

自对准金属氮化物氧化物半导体晶体管

mnos transistor

金属氮化物氧化物半导体晶体管

metal-nitride-oxide-semiconductor field effect transistor

金属－氮化物－氧化物－半导体场效应晶体管

metal oxide semiconductor transistor

金属—氧化物—半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管

self aligned gate mos

自对准栅金属氧化物半导体

MOST (Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)

金属-氧化物半导体晶体管

floating gate transistor

浮栅金属氧化物半导体晶体管

pmos transistor

p 沟道金属氧化物半导体晶体管

high voltage most

高压金属氧化物半导体晶体管

vertical mos transistor

垂直型金属氧化物半导体晶体管

mos insulated gate transistor

绝缘栅金属氧化物半导体晶体管

MOSFET (metallic oxide semiconductor field effecttransistor)

金属氧化物半导体场效应晶体管

read-write MOSFET

读写金属氧化物半导体场效应晶体管

v groove mos transistor

v 槽型栅金属氧化物半导体晶体管

double diffused mos transistor

双扩散金属氧化物半导体晶体管

grooved gate mos transistor

v 型栅金属氧化物半导体晶体管

single device mos gate

单金属氧化物半导体晶体管式门电路

complementary mnos

互补金属氮化物氧化物半导体