voltage-stress gradient

This paper proposes a solution to reduce the voltage stress arose by substituting IGBT with MOSFETE as the switch of UPS Three Lever Inverter,which can improve the efficiency of inverter.

为了提高UPS逆变器的效率,常采用MOSFET代替IGBT作为UPS二极管箝位型三电平逆变器的主开关管,由此会使功率管产生较大的电压应力,且出现桥臂外管电压应力大于内管的特殊状况。

Paper presents a topology of LLC resonant converter with minimized voltage stress for secondary side.

提出一种副边电压应力最小化的LLC谐振变流器拓扑,该拓扑除了具有传统LLC谐振变流器拓扑原边开关容易实现全范围的ZVS、副边二极管容易实现ZCS、谐振电感和变压器容易实现磁集成、宽范围等优点外还具有副边二极管的电压应力以及副边电容的电压应力均为输出电压的一半的优点。

High DC bus voltage stress is an important issue for the single stage PFC converters in application.

单级功率因数校正变流器的研究已经得到比较广泛的展开 ,但其在大功率变流器中的实际应用却受到较高开关电压应力因素的限制 ,为此分析了单级功率因数变流器产生高电压开关应力的内在原因。

A ramped current stress for intrinsic .

利用斜坡电流应力和栅注入方式测量本征电荷击穿来评估超薄栅氧特性和金属沾污效应 。

The most primary problem is how to properly ascertain the slope pressure act on beam-on-foundation.

但由于此类结构的工程实践先于理论研究,设计计算理论还存在诸多问题,其中最主要一个问题就是作用在边坡地梁下坡体压力的合理确定问题。